超高速电路相关论文
在众多Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件中,InP HBT凭借其材料和结构上的优势,有着非常突出的器件特性,是实现超高速电路的最佳选择。本论文对......
近日,中科院微电子所微波器件与集成电路研究室(四室)HBT超高速电路小组在刘新宇研究员和金智研究员的带领下研制成功两款基于1μm Ga......
近日,中科院微电子所微波器件与集成电路研究室(四室)超高速电路课题组在超高速ADC/DAC芯片研制上取得突破性进展,成功研制出8GS/s4bitAD......
介绍了一种超高速低功耗分频器逻辑设计、电路设计、牌图设计、工艺设计和工艺制作方法。采用3μm设计规则,用双埋层对通pn结隔离的双层......
介绍了一种高速可编程定时及其系统设计,电路设计和版图设计。该器件采用3μm pn结离工艺制作,经测试其最高工作频率大于1000MHz,在-5.2V电源电压下,功......
宽带通信在精确定位、跟踪、军用合成孔径雷达(SAR)、脉冲多普勒雷达以及个人区域网络(PAN)等领域都有着广泛的应用,作为连接模拟和数......
<正> SI—GaAs(半绝缘砷化镓)材料是研制GaAs VHSIC((超高速集成电路)和MMIC(单片微波集成电路)的重要的衬底材料,SI—GaAs晶片的......
本文着重介绍一种超高速ECL多模分频器的电路原理、电路设计、版图设计、工艺设计及研制结果。通过计算机模拟及优化设计,研制的分......
微电子所微波器件与集成电路研究室HBT超高速电路小组刘新宇研究员和金智研究员等研制成功两款基于Ium GaAs HBT工艺的8-bit超高速......
介绍了一种基于0.7μm磷化铟(InP)双异质结双极型晶体管(DHBT)工艺的超高速全加器,将加法运算与数据同步锁存融合设计来提高计算速......
期刊