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用150keV的As离子大剂量注入到铌膜上,在一定条件下制备了超导膜。其超导转变温度为6.6 K。注入层的厚度约67 nm,用迭代扣普法求得......
本文报道了利用混合物理化学气相沉积方法(HPCVD)在SiC衬底上制备出约150 nm厚,结构均匀的MgB2薄膜.由R~T曲线知道样品TC(0)高达40......
研究了目前已掺杂铁基砷化物价电子平均能量能级拓扑指数与超导电性之间的关系,发现价电子平均能量能级拓扑指数主要集中在37.5-39......
