为提高AlGaN基深紫外激光二极管(Deep Ultraviolet Laser Diodes,DUV-LD)有源区内载流子浓度,减少载流子泄露,提出一种DUV-LD双阻......

大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下由于载流子泄露而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性......

近几年，由于外延技术以及后续制作工艺的逐渐成熟，GaN基多量子阱LED得到了极大的发展，部分LED已经投入到大量的商业化生产。然而，在大......

近年来,随着科学技术的不断进步,在半导体材料方面取得的成果也越来越明显,特别是AIN, GaN, InN及其合金化合物等III-V族氮化物半......