载流子限制相关论文
半导体微纳结构发光器件是目前纳米技术和传统半导体光电子器件交汇产生的前沿领域，其体积上的优势使其在未来高集成度的光电子......
本文在数据求解分别限制量子阱激光器的光增益及阈值电流密度的基础上，计算和计算了漂移和扩散两种机制引起的漏电流对半导体激光器......
设计了一种将β-FeSi2颗粒埋入非故意掺杂Si中的Sip-π-n二极管来确定β-FeSi2-Si异质结的能隙差．当二极管处于正向偏置时，通过Sin-p......
ＺｎＳｅ基激光器的退化缺陷（特别是层错缺陷）严重地影响了长寿命器件的获得。人们开始将注意力投向离子性较低的Ｂｅ基化合物，希望Ｂｅ基化合物，希望Ｂｅ的......
