辐射偏置条件相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

辐射偏置条件相关论文

SOI NMOS器件的总剂量辐射效应研究

随着SOI技术在辐射环境下的应用越来越广泛，如何提高其抗辐照的性能成为近年来国内外研究重点。本文首先对PD SOI NMOS器件在静态偏......

学位

SOI NMOS 总剂量效应辐射偏置条件抗辐照加固

深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应研究

随着数字集成电路的广泛应用,金属一氧化物一半导体场效应(MOSFET)器件和MOS集成电路在军事,航天,核技术等特殊环境下的应用越来越......

学位

X射线辐射总剂量效应辐射偏置条件关态泄漏电流

看过本文同时还关注