输运位垒相关论文
本文报道在JT－60U和JFT－2M中H模式的最近实验结果。在JT－60U中具有边缘输运位垒的增强约束模式（H模式）的特点是高的边缘离子温度。约束......
在近期的托卡马克实验中，获得了几种高性能等离子体，一种是由Ｌ（低）到Ｈ（高）的转变触发的Ｈ（高）模式。在这种情形下，输运位垒是在边缘区域产生的。......
在ＪＴ－６０Ｕ托卡马克的高βｐ放电中，伴随着改善约束，观测到内输运位垒的自然形成。发现输运位垒的径向位置是在ｑ＝３磁面上。定域于输运位垒的一个快......
在有输运位垒的位形中，改善的边缘和芯部约束导致大的压强梯度和大的边缘举电流密度，它们往往驱动终止放电或降低放电性能的磁流体动......
