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Ga2O3是一种新型宽禁带半导体材料，禁带宽度约为4.8 eV,临界击穿电场理论上可高达8 MV/cm, Baliga优值超过3 000,因此在制作功率器......
国内物联网整体解决方案应用于国外客户时，面临个人隐私、互联互通、易用性、价格、选择性和定制等方面的挑战。针对国外市场提出了......
为了研究离子注入边缘终端对准垂直GaN肖特基势垒二极管性能的影响,对器件进行了二维模拟仿真,分析了终端区域尺寸对肖特基结边缘......
以SiC、GaN等第三代半导体材料为基础的结型日盲紫外探测器件具有高量子效率,高响应速度以及高紫外可见比等优势,在军事及民用领域......
作为宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管（SBD）有耐高压、耐高温、导通电阻小等优良特性,这使得它在电力电子等领域有广泛应用。......
