连续激射相关论文
通过Zn扩散方法制备了具有窗口结构的实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器。所用材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机......
采用键合技术在Si基上制备了InP-InGaAsP量子阱激光器,实现了电注入室温连续工作.采用低温直接键合的方法,将Si衬底和InP-InGaAsP......