部分沟道掺杂相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

部分沟道掺杂相关论文

面向高效高功率射频放大器的4H-SiC MESFETs器件设计

基于碳化硅(SiC)材料的功率半导体器件设计已经被研究多年。其中4H-SiC MESFET器件因同时具有的高可靠性(未引入栅极氧化层)与高频......

期刊

4H-SiC MESFET 部分缓冲层掺杂沟道掺杂部分沟道掺杂高低栅功率附加效率

看过本文同时还关注