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部分耗尽SOI晶体管相关论文
部分耗尽SOI晶体管电离辐射损伤的物理模型
从氧化层俘获空穴和质子诱导界面态形成的物理机制出发,建立部分耗尽SOI器件总剂量辐射诱导的氧化层陷阱电荷和界面态物理模型,模......
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部分耗尽SOI晶体管
总剂量
界面陷阱
氧化物陷阱电荷
partailly depleted SOI transistors
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