金属镍衬底相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

金属镍衬底相关论文

金属Ni衬底上GaN薄膜的低温ECR-PEMOCVD生长及其性能影响机制研究

氮化镓(GaN)具有直接带隙宽(3.39eV)、饱和速度高(3×107cm/s)以及其他优良的性能，这些优点使它成为继硅之后重要的半导体材料之一......

学位

氮化镓化学气相沉积金属镍衬底界面反应

在织构Ni衬底上用电子束蒸发沉积YSZ阻挡层

用轧制及再结晶方法制备了高度立方织构的金属Ni(镍)基带.采用电子束蒸发的方法在几个厘米长的Ni基带表面上生长YSZ(钇稳定二氧化......

期刊

Ni衬底 YSZ阻挡层电子束蒸发沉积薄膜生长钇稳定二氧化锆立方织构金属镍衬底超导材料

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