为了研究氢离子束轰击Ｍｏ－Ｓｉ多层膜界面的情况，采用氢离子束（能量１５０ｅＶ）轰击Ｓｉ表面，即Ｓｉ与Ｍｏ之界面，再用Ｋｒ离子束溅射刻蚀，并用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）分析，实验结果说明......