铝吸杂相关论文
本文对直拉单晶硅材料生长外延重掺硼的晶硅薄膜,并在高温下烧结与以往的铝吸杂比较,通过改变背场烧结的工艺条件来改善电池性能。并......
对不同氧含量的太阳电池用直拉硅片进行了磷扩散吸杂、铝吸杂及磷-铝联合吸杂的研究。采用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测试了吸杂前后......
本文简述了采用浓磷扩散吸杂,铝吸杂以及磷--铝共同吸杂等方法,对多晶硅进行了大量的实验研究结果表明,上述方法对我们实验所用的......
铝包是在烧结工艺中铝吸杂的过程中产生的,严重影响了电池片的外观,同时也妨碍了铝背场的吸杂。本文初步分析了丝网印刷过程中产生铝......
针对铝吸杂对多晶硅的影响,比较了单、双面蒸镀2μm铝的多晶硅片在CTP和RTP炉中进行铝吸杂后的少子寿命、电性能和量子效率.发现在RT......
文章简述了采用浓磷扩散吸杂,铝吸杂以及磷——铝共同吸杂等方法,对多晶硅进行了大量的实验研究结果表明,上述方法对我们实验所用......