铟砷锑材料相关论文
InAsSb作为一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,其具有带隙窄、电子迁移率高和稳定性好等特点,在微电子和红外探测领域有很大的应用前景。......
InAsSb是1种窄禁带超晶格材料,也是1种性能优良的红外探测器材料。本文根据红外引信对目标识别的要求,首先将非制冷型InAsSb探测器与......