铟铝氮相关论文
由于GaN基材料具有宽的带隙、高的电子饱和迁移速度、耐高压、抗辐照、容易形成异质结构、具有大的自发极化效应，因此特别适合制备......
采用直流偏置应力法对蓝宝石衬底上的InGAlN/GaNHEMT器件的电流崩塌效应进行了研究.实验结果表明,在关态和开态应力后,器件直流特......
以GaN为代表的第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场强、电子饱和速度大、化学稳定性好、热稳定性好以及抗辐射等优良特性,非常适......
由于InAlN材料在In含量为17.6%时,可以与GaN晶格实现的无应力状态的晶格匹配,因而受到了广泛的关注和研究。但是由于受到了In N和A......
近二十年来，伴随着光电和通信技术的发展，氮化物半导体材料越来越受到人们的重视，目前基于GaN的照明技术已经相当成熟并实现了商业化，......
当In含量为17.6%时，InAlN晶格可与GaN晶格实现晶格匹配无应力状态，因此可避免由于晶格失配产生的一系列问题。但是由于InN和AlN两种......
