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间隙硅缺陷相关论文
SiC/SiO2间隙硅缺陷的电荷俘获与发射特性
作为常见的第三代半导体材料之一的碳化硅(SiC)的理论物理性能非常优越,然而实际制作的SiC金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)性能却很......
学位
碳化硅
近界面陷阱
间隙硅缺陷
第一性原理
电荷俘获与发射
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