随着CMOS技术的不断发展,器件的尺寸也不断缩小。而随之而来的问题是器件日益严重的性能退化。负偏压热不稳定性(NBTI)正是当前的......

为了满足功率电路及系统设计对碳化硅基垂直双注入金属氧化物半导体晶体管（VDM OS）模型的需求,建立了一套基于表面势计算方法的可描......

研究了在LPLV CMOS工艺中,用表面沟PMOS管工艺使NMOS管的阈值电压发生偏移的问题.在使用表面沟PMOS管的LPLV CMOS工艺中,NMOS管的......

...