随机掺杂相关论文
采用了Monte-Carlo方法,讨论了反铁磁层中不同非磁性掺杂浓度下,铁磁/反铁磁双层膜中交换偏置的温度特性.模拟结果显示:反铁磁层中......
本文研究随机掺杂引起的超深亚微米SOI MOSFETs器件阈值电压波动,提出一种由沟道粒子数目波动引起的阈值电压波动标准差的解析模型......
工艺参数波动和偏离已严重影响纳米集成电路制造性能和成品率,阈值电压是MOS集成电路设计中的重要参数,而随机掺杂工艺波动是引起......
