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为了更全面地认识和了解金属Ag的各种物理性质,对金属Ag的磁光性质进行了研究.利用光隧穿机制分析了由全介质光子晶体-厚金属Ag膜-......
本文论述了最近国外报道的功率铁氧体材料的居里点达310℃,可在300℃下长期工作,还有人提出功率铁氧体磁芯损耗隧穿机制,很好地解释......
氧化物薄膜电阻开关存储器(ReRAM)具有快速的读/写速度(~10 ns)、优异的耐受性(>106次读/写次数)和超长的存储稳定性(~10年)等优点......
采用磁控溅射法制备超薄BaTiO3铁电薄膜,分析了电子隧穿过程,将电流-电压曲线作不同线性拟合,探讨单极性开关和双极性开关形成的物理......