隧穿概率相关论文
本文研究了存在外加磁场和考虑Rashba自旋轨道耦合效应的情况下,自旋极化电子在一维F/S/F（铁磁/半导体/铁磁）异质结和T型F/S/F（铁磁/......
能级间的Landau-Zener隧穿是一种最基本也非常重要的量子现象,它描述了某个系统在外场驱动下所发生的相邻能级间的量子隧穿,其理论......
在正统理论的基础上 ,提出了单电子三势垒隧穿结模型的主方程 ,并用线性方程组解法求出了其稳态解 .通过数值模拟 ,得到了该系统的......
通过调整GaN基发光二极管(LED)表面InGaN层的厚度,发现在20 mA电流驱动下,LED器件的正向压降有明显差距.本文考虑了极化效应的影响......
在群速度概念的基础上,研究了自旋电子隧穿通过铁磁/绝缘体/铁磁异质结中的隧穿概率和隧穿时间.研究结果表明：不同自旋方向的电子其......
介绍一个通过薄层金属表面电子隧穿和逸出功研究金属表面结构的方法。给薄层金属加一个垂直表面的电场,由于量子隧穿效应,电子可以......
采用单电子有效质量近似理论,Floquet理论和传递矩阵方法,对包含时间周期场的双量子阱中单电子的自旋隧穿特性进行了研究,对InP/In......
自旋弛豫能够引起电子的自旋平衡,电子的自旋驰豫是自旋电子学中的一个重要的物理现象。对电子自旋驰豫过程的研究不仅具有重要的......
采用相干量子输运理论和传递矩阵方法,数值计算了两端具有铁磁接触的双势垒异质结构（F/DB/F）中自旋相关的隧穿概率和自旋极化率。结......
