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基于低势垒FM/I/n-Si磁隧道结的优化自旋注入效率和增强的Spin MOSFET信号
自旋电子学器件由于其有较小的单元尺寸,更低的功耗和新兴的电荷—自旋集成功能,因此可能成为超越摩尔定律物理极限的下一代电子器......
会议
自旋电子学器件
格点非平衡格林函数
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