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雪崩层与吸收层分离的SAM结构相关论文
高增益AlGaN日盲雪崩光电探测器及暗电流机制分析
AlGaN半导体材料的带隙宽度可以从3.4eV到6.2eV连续可调,覆盖了从365 nm到200 nm的紫外波段,是制备紫外短波长发光和探测器件不可......
学位
ALGAN
AVALANCHE PHOTODIODES
雪崩探测器
日盲
光电化学处理
雪崩层与吸收层分离的SAM结构
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