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非全耗尽模式相关论文

超结功率器件等效衬底模型与非全耗尽工作模式研究

人类使用的电能75%以上是由功率半导体转换,功率MOS器件是功率半导体的主力军,兼具高耐压VB和低比导通电阻Ron是其研究之热点。本......

学位

超结器件非全耗尽模式 R阱模型最低比导通电阻等效衬底模型

横向超结器件非全耗尽工作模式与实验实现

超结（Superjunction,SJ）器件实现了阻型耐压层到结型耐压层的革命性转变。理论证明,纵向超结器件将传统功率MOS器件的“硅极限”关系......

学位

超结器件非全耗尽模式 LDMOS 比导通电阻击穿电压

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