高Al组分AlGaN相关论文
研究了在沉积肖特基金属之前,氟基等离子体处理n 型掺杂的Al0.45Ga0.55N的表面对该肖特基接触反向漏电的影响.并且研究了氟基......
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在沉积肖特基金属之前,对非掺的Al0.45Ga0.55N采用了不同时间的氟基等离子体处理,其中Al组分对应日盲波段。与未做氟基等离子体处......
AlN半导体通常在异质衬底上外延,生长过程中往往承受较大的晶格失配应力.基于第一性原理,研究了应变AlN表面生长基元,如Al和N原子......
高Al组分（即原子分数）AlGaN带边发光以e光为主的发光特性,从根本上限制了沿c面生长器件的正面出光,成为光电器件发光效率急剧下降的......
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