高介电常数栅介质相关论文
本文用量子化学的密度泛函方法对高介电常数栅介质的原子层淀积初始反应机制作了详细的研究。研究的高介电常数介质有Al2O3、HfO2......
分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影......
用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反......
利用超高真空电子束蒸发法制备了可替代SiO2作为栅介质的HfAlO膜。薄膜的化学组成为（HfO2）（Al2O3）2，900℃退火处理后仍然呈现非晶状态，而......
采用顺序隧穿理论和传输哈密顿方法并考虑沟道表面量子化效应，建立了高介电常数堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的顺序隧穿模型。利用......
用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si（100）-2×1表面原子层淀积（ALD）初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反......
分两步提取厂HfO2高κ栅介质等效氧化层厚度（EOT），首先，根据MIS测试结构等效电路，采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进......
对高k栅介质SOInMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究，并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较，分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性......
采用脉冲激光沉积方法（PLD）在Si（100）衬底上生长了HfO2栅介质薄膜.利用X射线衍射（XRD）和扩展X射线吸收精细结构（EXAFS）对其结构进行了表征,......
随着微电子技术的飞速发展，作为硅基集成电路核心器件的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的特征尺寸一直按照摩尔定律不断地缩小......
研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9 nm的超薄MOS电容.对电容的电学特性如C-V特性,I-V特......
研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9nm的超薄MOS电容。当栅氧化层很薄时会发生软击穿现象......
<正>《中华人民共和国专利法》第37条规定:"国务院专利行政部门对发明专利申请进行实质审查后,认为不符合本法规定的,应当通知申请......
自上个世纪七十年代以来电路器件集成度按照摩尔定律的预测基本保持每十八个月翻倍,在这过去五十多年的时间里,在各个领域的研究者......
随着集成电路工艺的不断发展,CMOS器件尺寸随之缩小。尤其是在45nm甚至更小的工艺节点下,传统的SiO2栅氧化层介质,由于其厚度已减......
随着器件尺寸的进一步缩小,栅介质正变得越来越薄,当传统栅介质层SiO2的厚度减小到原子尺寸时,由于量子隧穿效应的影响,漏电流将变......
对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、......
