高功率半导体激光阵列相关论文
高峰值功率半导体激光阵列在高温工作条件中的应用需求日益凸显,本文以微通道封装的高峰值功率960 nm半导体激光阵列为研究对象,通......
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为了解决阵列中每个发光点性能分布不均的问题,研究了微通道水冷封装的960 nm半导体激光器阵列,阵列包含38个发光点,腔长为2 mm,在......
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利用InGaAs/InGaAsP应变量子阱外延材料制作出高功率半导体激光器线阵模块,前腔面镀制了单层Al2O3,后腔面镀制了Al2O3/5(HfO2/SiO2......
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