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基于CSMC 0.18μm BCD工艺,在传统亚阈带隙基准（BGR）的基础上进行了改进,设计了一款新型亚阈BGR。利用BCD工艺中普通MOSFET和高压MOS......

简要介绍了一种基于高压场效应管(MOSFET)的纳秒级双快沿脉冲源的原理。着重从脉冲源快前沿与快后沿成形机理、高压MOSFET多管级联......

随着集成电路制造工艺水平的提升,系统集成度越来越高,智能功率集成电路得到了日益广泛的应用,功率集成电路将工作电压高低不同的......