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高场区特性相关论文

异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)高场区静态特性模型和栅泄漏电流研究

本文在改进型电荷控制模型基础上,结合GSW速度场特性,提出了适用于HIGFETs器件的新的高场区(I_D>I_(Ds))的静态特性模型,从而导出......

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HIGFETs 静态特性场效应晶体管模型静态特性模型泄漏电流栅泄漏模型解析表式高场区特性绝缘栅

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