高温氮化相关论文
以晶体硅切割废料为原材料,经过高温氮化工艺制备Si3N4-SiC陶瓷复合材料.主要考察氮化温度和氮化时间对Si3N4-SiC陶瓷复合材料性能......
以α-Al2O3粉、Al粉、Si粉为主原料,采用高温氮化法在不同合成温度(分别为1350、1400、1450、1500、1550℃)下保温3h合成Z值为3的......
Fe-N化合物作为一种典型的磁性材料,它具有极其丰富的磁学性能,比如有较好的抗氧化性、耐磨性、抗腐蚀性等。Fe-N化合物是根据它们......
氢能作为一种资源丰富、清洁无污染的“绿色能源”,在未来的能源结构中占据重要的地位。在众多制氢方法中,电解水制氢由于具备原料......
通过高温氮化法对Hβ分子筛进行改性,制备出含氮的Hβ分子筛.通过X射线衍射(XRD)、N2物理吸附、红外光谱(FT-IR)、X射线光电子能谱......
采用板状刚玉、金属硅粉为主要原料,通过高温氮化生产了赛隆刚玉中间包滑板.比较了赛隆刚玉滑板和铝碳锆滑板的性能及使用结果.结......
氮化镓(GaN)材料是室温下具有3.4eV的直接宽带隙半导体材料，其禁带宽度大，能够满足高亮度二极管(LED)、激光二极管(LD)以及抗辐射器......
采用高温氮化技术，以氯化铵为矿化剂合成了层状钙钛矿型LaTaON2光催化剂．与前驱体氧化物LaTaO4相比，LaTaON2的吸收边红移，在可见区呈现......
为了提高SAPO-34分子筛的低碳烯烃选择性級抗结焦性能，以三乙胺为模板剂，在正磷酸-拟薄水铝石-氢氟酸体系中合成了小粒径SAPO-34分子......
本发明提供了一种制备立方相纳米氮化钒粉体的方法。主要特征是以沉淀法制备的一水合五氧化二钒(V2O5·H2O)粉体为原料，在氨气......
氮氧化硅薄膜综合了ＳｉＯ２膜和Ｓｉ３Ｎ４膜的优点具有优秀的光电和学性能和稳定性，已经在光电领域获得了广泛地应用，此外在材料改性方面也有广阔的应......
石墨相氮化碳是一种聚合物半导体材料（带隙宽度约为2.7 e V）,具有独特的和可调控的光学和电子性质,能够作为半导体光催化剂用于驱动......
<正> 钢的氮化通常是在500—580℃(低温氮化)的温度中进行的。近年来,珠光体钢、铁素体马氏体钢、铁素体与奥氏体钢、镍合金与难熔......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
氮氧化硅薄膜综合了ＳｉＯ２膜和Ｓｉ３Ｎ４膜的优点，具有优秀的光电性能，力学性能和稳定性能，已经在光电领域获得了广泛地应用，此外在材料改性方面也有广......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
本文采用氮气保护高能球磨及硅粉直接氮化工艺制备高纯、单晶氮化硅纳米线。使用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、高分辨率透......
石墨相氮化碳是一种聚合物半导体材料(带隙宽度约为2.7 e V),具有独特的和可调控的光学和电子性质,能够作为半导体光催化剂用于驱......
以单质Si和不同的二氧化硅（Si O2含量分别为99.999%的高纯石英玻璃、99.70%的分析纯二氧化硅、99.14%的工业石英、97.67%的微硅粉）为......
