在对体硅ＭＯＳＦＥＴ高温泄漏电流研究的基础上，深入研究了ＳＯＩ材料ＭＯＳＦＥＴ泄漏电流的组成，解析式及高温模拟结果，并与体硅ＭＯＳＦＥＴ进行了比较，证明了薄膜ＳＯＩ材料ＭＯＳＦＥＴ的高温泄......

在本征CMOS反相器直流传输特性和所提出的离子注入浅结近似理论基础上,研究了N+衬底外延P阱CMOS反相器的源-漏结泄漏电流失配对其......