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基于大信号建模的方法和理论，分析了各种建模方法，为研究MESFET大信号建模提供了方法上的比较。在4H-SiC MESFET建模过程中，基于器件物理机制和物理结构考虑的物理模型已成为当前大信号特性建模的首选模型，这种模型反映了器件的实际工作状态，能够准确预测器件在不同工作条件下的物理特性，有助于优化器件的设计。