【摘 要】
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目前3D-IC设计中硅通孔(Through Silicon Via,TSV)的修复主要有增加冗余TSV和利用电路进行信号恢复两种方法实现,采用冗余TSV修复的方法面积开销较大,利用电路进行信号恢复的
【基金项目】
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超级计算机处理器研发(2013ZX01028-001-002);自然科学基金(61076025,60970036);教育部博士点基金(20124307110016)
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目前3D-IC设计中硅通孔(Through Silicon Via,TSV)的修复主要有增加冗余TSV和利用电路进行信号恢复两种方法实现,采用冗余TSV修复的方法面积开销较大,利用电路进行信号恢复的方法面积开销小,但电路延时较大。本文基于互连线集总RC模型建立TSV微开路和微短路缺陷模型,分析制定TSV信号降格的等级。同时,通过研究现有TSV信号恢复电路,提出一种改进电路,以达到优化电路延时和提升分辨率的目的。实验结果表明,在时钟频率1GHz,TSV短路电阻2kΩ下,信号延时由227ps降到150ps,比较器分辨率由45mV提升到1mV。
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