3D-IC相关论文
Effect of Thermal Cyclic Loading on Stress-Strain Response and Fatigue Life of 3D Chip Stacking Stru
The thermo-mechanical reliability of IMCs(Ni3Sn4,Cu3Sn,Cu6Sn5)solder joints and Sn-3.9Ag-0.6Cu solder joints was investi......
晶圆-晶圆键合技术突破了传统晶圆平面工艺,但键合晶圆的光刻对准图形及其他辅助图形有特殊的位置摆放和形貌绘制要求,而传统方法......
为了应对集成电路中日益严峻的热问题,本文实验研究了矩形单层微通道(S-R)、锯齿单层微通道(S-z)、矩形双层微通道(D-R)以及下层矩......
,Geant4 simulation of proton-induced single event upset in three-dimensional die-stacked SRAM device
Geant4 Monte Carlo simulation results of the single event upset (SEU) induced by protons with energy ranging from 0.3 Me......
硅通孔(TSV)故障严重降低了三维集成电路的良率和可靠性。为了在制造流程中尽早精确地排除TSV故障,提出了一种基于仲裁器的键合前T......
基于有限元理论,对三维集成电路（3D-IC）进行了建模和仿真,研究了不同模型的热分布和计算复杂度。通过Gmsh软件创建3D-IC模型并生成网......
针对三维集成电路芯片间时钟同步电路的要求,设计一种用于全数字延时锁定环的改进型逐次逼近寄存器,以消除由于硅通孔延时波动引起......
三维集成电路（3D-IC）通过在垂直方向堆叠多层芯片有效提高了芯片的性能和集成度.然而,过高的功率密度和温度成为3D-IC集成度提高的最......
基于硅通孔TSV的3D-IC在电源分配网络PDN中引入了新的结构——TSV,另外,3D堆叠使得硅衬底效应成为不可忽略的因素,因此为3D-IC建立......
目前3D-IC设计中硅通孔(Through Silicon Via,TSV)的修复主要有增加冗余TSV和利用电路进行信号恢复两种方法实现,采用冗余TSV修复......
为了在基于TSV的3D-IC中实现成本效率高的时钟树布线,介绍一个3D时钟树综合算法.对于一个给定抽象时钟树的拓扑结构,给出了一个3D......
3D-IC技术的出现为集成电路产业的持续发展带来了新的动力,然而,由于3D-IC新的结构特性,电源完整性问题变得更为显著,并成为制约3D......
随着半导体技术的迅猛发展,集成芯片性能在摩尔定律的指导下不断提高,尤其是近年来3D集成芯片技术的出现更是在一定意义上打破了摩......
三维集成电路(Three Dimensional Integrated Circuits,3D-IC)由于结构复杂,在设计过程中必须考虑其寄生参数、热场分布、电流密度......
