【摘 要】
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本文设计了一种基于Franz-Keldysh (FK)效应的GeSi电吸收调制器。调制器集成了脊形硅单模波导。光由脊形硅波导以倏逝波形式耦合进锗硅吸收层。在硅基锗二极管FK效应实验
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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本文设计了一种基于Franz-Keldysh (FK)效应的GeSi电吸收调制器。调制器集成了脊形硅单模波导。光由脊形硅波导以倏逝波形式耦合进锗硅吸收层。在硅基锗二极管FK效应实验测试的基础上,有源区调制层锗硅中的硅组分设计为1.18％,从而使得器件工作在C(1528～1560rim)波段。模拟结果显示该调制器的3dB带宽可达64GHz,消光比为8.8dB,而插损仅为2.7dB。
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