【摘 要】
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本文主要研究退火对原子层沉积Al2O3薄膜表面和Al2O3/4H-SiC界面的影响。生长Al2O3薄膜的前驱体为三甲基铝(TMA)与水(H2O)，生长速率为1.26(A)/cycle。薄膜最终厚度为10 nm
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京 100083
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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本文主要研究退火对原子层沉积Al2O3薄膜表面和Al2O3/4H-SiC界面的影响。生长Al2O3薄膜的前驱体为三甲基铝(TMA)与水(H2O)，生长速率为1.26(A)/cycle。薄膜最终厚度为10 nm。然后将Al2O3薄膜在氮气中1000℃下退火1min。检测结果显示，退火后Al2O3薄膜粗糙度增加。同时，退火使得Al2O3薄膜充分氧化，但也导致Al2O3/4H-SiC界面有Si的次氧化物以及Al-O-Si化含物的生成。
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