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本文以硅锗缓冲双轴应变硅材料为研究对象，采用显微拉曼光谱技术，开展了该多层半导体异质结构内部残余应力的实验力学分析。首先针对多层结构残余应力与表/界面力学行为的多尺度实验力学分析，发展了超低粗糙度横截面样品的加工方法。
应变硅多层异质结构残余应力分布的显微拉曼分析
【摘 要】
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本文以硅锗缓冲双轴应变硅材料为研究对象，采用显微拉曼光谱技术，开展了该多层半导体异质结构内部残余应力的实验力学分析。首先针对多层结构残余应力与表/界面力学行为的
【机 构】
：
天津大学机械学院力学系天津市现代工程力学重点实验室,天津300072LANE,UniversityofNebraska-Lincoln,Lincoln,NE68588,USA
【出 处】
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第十四届全国实验力学学术会议
【发表日期】
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2015年7期
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