【摘 要】
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本文提出了一种抗单粒子瞬变(Single Event Transient,SET)的差分压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO)电路结构.本文详细分析了VCO的SET响应特性,对VCO的SET加固
【机 构】
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国防科技大学计算机学院 长沙 410073
【出 处】
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第十三届计算机工程与工艺会议(NCCET09’)
论文部分内容阅读
本文提出了一种抗单粒子瞬变(Single Event Transient,SET)的差分压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO)电路结构.本文详细分析了VCO的SET响应特性,对VCO的SET加固原理和加固方法进行了深入的研究,提出了一种高性能的加固VCO结构,其受单粒子轰击的概率降低了67％.最后基于0.18μm CMOS工艺对该电路进行了Hspice模拟,模拟结果表明,单粒子辐射条件下加固后的VCO输出产生的最大相位偏斜减小约80％,提高了VCO的可靠性.
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