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辐射效应对集成电路的影响随着工艺尺寸的下降而增加,本文将从单粒子翻转、单粒子闩锁、总剂量效应等方面分析存储单元加固技术的各种可行方法,并阐述各种方法的优、缺点.
静态随机存储器抗辐射加固技术研究
【摘 要】
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辐射效应对集成电路的影响随着工艺尺寸的下降而增加,本文将从单粒子翻转、单粒子闩锁、总剂量效应等方面分析存储单元加固技术的各种可行方法,并阐述各种方法的优、缺点.
【机 构】
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国防科技大学计算机学院 湖南长沙 410073
【出 处】
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第十三届计算机工程与工艺会议(NCCET09’)
【发表日期】
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2009年期
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