【摘 要】
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瞄准单片功率集成电路对BCD工艺的特殊需求,开展了BCD工艺兼容技术研究,解决了其关键技术问题,初步建立了 BCD工艺,制作出NPN管的BVCEO达到25V,β为50；VDMOS的BVDS达到35V,阈值电压为3V；PMOS的BVDS到14V,阈值电压为-0.8V；NMOS的BVDS达到15V,阈值电压为1.2v。
【机 构】
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模拟集成电路国家级重点实验室,重庆 400060 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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瞄准单片功率集成电路对BCD工艺的特殊需求,开展了BCD工艺兼容技术研究,解决了其关键技术问题,初步建立了 BCD工艺,制作出NPN管的BVCEO达到25V,β为50；VDMOS的BVDS达到35V,阈值电压为3V；PMOS的BVDS到14V,阈值电压为-0.8V；NMOS的BVDS达到15V,阈值电压为1.2v。
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