【摘 要】
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ZnO 是一种宽带隙的半导体材料,在结构和性质上有激子束缚能高、无毒、无害等很多优点,受到研究者的青睐。但是,自ZnO 被作为光电半导体材料研究以来,p 型掺杂一直是没有完全克服的难题,而N 作为一种良好的掺杂元素,一直也是大家关注的焦点。
【机 构】
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福建省厦门市厦门大学物理管 403 361005
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
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ZnO 是一种宽带隙的半导体材料,在结构和性质上有激子束缚能高、无毒、无害等很多优点,受到研究者的青睐。但是,自ZnO 被作为光电半导体材料研究以来,p 型掺杂一直是没有完全克服的难题,而N 作为一种良好的掺杂元素,一直也是大家关注的焦点。
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