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报道了8mm功率PHBMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs／InGaAs PHEMT材料，采用0.2um的T型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率PHEMT的初步测试结果为：Idss:365 mA/mm:gmO:320 mS／mm；Vp：-1.0~-2.0V。总栅宽为750um的功率器件在频率为33CHz时，饱和输出功率大于280mW，功率密度达到380 mW/mm，增益大于6 dB。