PHEMT相关论文
United Monolithic Semiconductor 公司已研制成双频倍频器单片电路,可用于从军事到商业通信系统。芯片背部有 RF 和 DC 接地,简......
Mitsubishi Electric研制出了一种用于汽车雷达用的76GHz MMIC芯片组。这种GaAs PHEMT芯片组包含一个三通道天线开关MMIC,五个发......
A kind of 2 GHz to 8GHz MMIC variable gain low noise amplifier chip,WFD0 0 2 0 ,was designed,and fabricated successfully......
This paper presents the design of a 26-40 GHz monolithic doubly-balanced mixer for high-speed wireless communication. A ......
A 4 W K-band AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT) monolithic microwave integrated c......
据报道,全球首座以6英寸晶圆提供砷化镓(GaAs)微波通讯芯片(MMIC)专业代工服务的台湾稳懋半导体股份有限公司,于今(15)日正式宣布......
A low noise distributed amplifier consisting of 9 gain cells is presented.The chip is fabricated with 0.15-μm GaAs pseu......
介绍了一种采用0.15μm GaAs PHEMT工艺设计加工的2～20 GHz宽带单片放大器,为了提高电路的整体增益和带宽,在设计电路时采用两级级......
介绍了单平衡混频器和Lange耦合器的工作原理,基于0.15μm GaAs PHEMT工艺技术,设计了一款Ka波段单平衡宽带混频器芯片,仿真结果显......
介绍了一种8～20 GHz单片低噪声放大器的研制过程。本电路采用两级放大拓扑,自偏置结构。采用串联负反馈技术降低噪声系数和输入驻波......
基于分布式放大器理论,设计了一款基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺的2~20GHz宽带单片集成双向放大器。该款放大器将两......
<正>南京电子器件研究所首次研制出7~13 GHz连续波40 W大功率限幅器+低噪声放大器集成单片。根据大功率和低噪声要求,将PIN二极管......
基于GaAs赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一种5~12 GHz的收发一体多功能芯片(T/R MFC),其具有噪声低、增益高和中等功率等......
该文是对35GHz的三端器件(PHEMT)VCO进行研究,并在国内首先用该器件实现了Ka频段的压控振荡器.研究人员选择的电路拓扑为患联反馈......
报道了K波段的PHEMTMMIC的设计与研制。PHEMT器件采用0.5μm栅长的3inchGaAs标准工艺制作。三级的MMIC放大器在18GHz处,线性增益17......
随着微波通信技术的长期发展,它将从功能上在传统的计算设备和常规的射频及微波通信仿真器中得到设计和仿真(如SPICE、Agilent ADS......
采用GaAs PHEMT工艺研制开发了一款6～18 GHz五位MMIC数字移相器。通过建立精确的器件模型、选择合理的单位拓扑以及设计优化原理图......
随着射频/微波器件的快速发展及其应用领域的日益扩大,基于半导体单片集成技术的多种器件集成工艺不断发展.研究了一种采用A1GaAs-......
基于砷化镓增强型pHEMT工艺设计了一款0.5-7.0GHz GainBlock宽带单片集成放大器,其拓扑结构为达林顿结构.为克服E型工艺开启电压随......
随着微波通信技术的长期发展,它将从功能上在传统的计算设备和常规的射频及微波通信仿真器中得到设计和仿真(如SPICE、Agilent ADS......
基于0．5μm赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺，设计制造了一款工作于450-470MHz频段的单片集成低噪声放大器（LNA），该LNA采用阻容负反馈的......
基于0．25μm PHEMT（赝配高电子迁移率场效应晶体管）工艺，给出了一款毫米波MMIC（单片集成电路）低噪声放大器。放大器设计中采用了三级级联......
采用0.5μm Ga As PHEMT工艺设计了一款工作于2.7GHz~3.5GHz的3bit数控衰减器芯片,经过测试通态插入损耗<0.7d B,最大衰减量5.6d B......
对PHEMT的电离辐照效应进行了研究，通过测量辐照前后器件的I-V特性和低频噪声,发现辐照对PHEMT的性能影响并不明显．分析了PHEMT漏电......
基于90 nm GaAs PHEMT工艺设计了一款二次倍频器芯片,通过探针台对芯片性能进行了评估。倍频器芯片输入频率为9~15 GHz,输出频率为......
运用微波在片测试技术和IC—CAP模型提取软件对总栅宽为850p．mPHEMT器件进行了大信号建模，并利用此模型，采用分布式放大器与电抗匹配......
介绍了一款自主设计采用0．25μmGaAsPHMET开关工艺制作的的S波段六位数控移相器芯片和金属陶瓷表贴管壳内的设计方法和研制结果。该......
介绍了一种Ku波段内匹配微波功率场效应晶体管。采用GaAs PHEMT 0．25μm T型栅工艺，研制出总栅宽为14．4mm的功率PHEMT管芯。器件由四......
采用0．51μm GaAs PHEMT工艺研制了一种单电源偏置光接收机跨阻抗前置放大器．放大器-3dB带宽约为9．5GHz；在50MHz～7．5GHz范围内，跨阻增益为......
随着Ga As PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)器件的广泛应用,器件的可靠性及失效分析方法越来越受到人们的重视。该文采用半导体参数......
由使用 0.15m GaAs pHEMT ( pseudomorphic 高度电子活动性晶体管)技术，毫米波浪力量放大器微波的一个图案整体的集成电路( MMIC ......
报道了一种微波宽带GaAs单片可变增益低噪声放大器芯片.该芯片采用南京电子器件研究所φ76mm圆片0.5 μm PHEMT标准工艺制作而成.......
针对南京电子器件研究所的PHEMT器件的特点,对Angelov模型进行了修正,并用ICCAP编写了模型的抽取程序,以南京电子器件研究所的400 ......
介绍了用于SDH系统STM-64速率光发射机用的激光二极管/光调制器驱动器集成电路的设计。电路采用法国OMMIC公司的0.2μm GaAs PHEMT......
采用平衡式结构设计了微波宽带低噪声放大器,测试结果:在频率为8～18GHz的宽带内增益大于30dB,增益平坦度小于3dB,噪声系数小于2.0dB......
采用增强/耗尽型（E/D）结构的赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等......
报道了一种基于0．5μm赝配高电子迁移率晶体管工艺的两级级联结构的微波单片集成低噪声放大器。该低噪声放大器为光纤射频组网技术......
利用pHEMT工艺设计了一个2-4GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54......
利用稳懋0.5μmGaAsPHEMT工艺设计了一款宽带低插入损耗的单刀双掷（SPDT）开关芯片.该开关在传统串并联结构的基础上,考虑了封装引入......
我们对PHEMT材料中应变沟道InGaAs层生长条件进行了优化,并采用了LT-GaAs中缺陷扩散的阻挡层.功率PHEMT器件结果为在栅长Lg=1.0μ......
利用0.25μm GaAs PHEMT工艺设计并制作了一种Ka波段低噪声放大器芯片.提出了适用于低噪声放大器的PHEMT器件特征.电路采用四级级......
报道了一种可直接应用于无线接收系统前端的具有较低噪声系数和较高相关增益的MMIC低噪声放大器,该低噪声放大器采用0.50μm GaAs ......
研制成功一种应用于高速光纤通信系统的激光器／激光调制器驱动集成电路。该电路采用具有薄膜电阻、MIM(Metal-Insulator-Metal)电容......
