【摘 要】
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采用四靶闭合场非平衡磁控溅射装置高功率脉冲沉积金属薄膜,研究高功率调制脉冲磁控溅射电源的放电特性。脉冲电源充电电压V、调制脉冲参数τon和τoff对溅射靶峰值电流Ip、
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采用四靶闭合场非平衡磁控溅射装置高功率脉冲沉积金属薄膜,研究高功率调制脉冲磁控溅射电源的放电特性。脉冲电源充电电压V、调制脉冲参数τon和τoff对溅射靶峰值电流Ip、峰值电压Vp、峰值功率P和平均功率Pa的影响显著。调制脉冲作用时间τon/τoff和充电电压V是调控峰值电压Vp的主要参数,均与之呈线性关系,而峰值电流Ip与峰值电压Vp呈幂指数关系,指数n为9.7。平均功率Pa随峰值电流Ip、脉冲频率和脉冲宽度线性增加,可在保证高峰值电流Ip的同时调控平均功率Pa,使其不超过磁控靶阴极的功率极限,通过调制脉冲作用时间τon/τoff和充电电压V调控Ip,实现了不改变常规磁控阴极水冷结构的同时,在17至180 A间的高功率脉冲放电。沉积薄膜实验表明,均可获得高速沉积高质量金属和化合物薄膜。
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