用于三维集成电路的硅通孔互连高频电学模型

来源 :第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kyuiyigjghj

【摘要】

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为准确分析应用于三维集成电路中硅通孔(Through Siliocn Via,TSV)的高频电学特性,本文在考虑TSV MOS效应的基础上,对提取TSV寄生参数的解析模型做了频率项修正.采用仿真工具

【作者】

：

单光宝刘松杜欣荣

【机构】

：

西安微电子技术研究所

【出处】

：

第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

【发表日期】

：

2014年期

【关键词】

：

三维集成电路通孔互连高频解析模型仿真结果 TSV 指导意义

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为准确分析应用于三维集成电路中硅通孔(Through Siliocn Via,TSV)的高频电学特性,本文在考虑TSV MOS效应的基础上,对提取TSV寄生参数的解析模型做了频率项修正.采用仿真工具分别验证了上述解析模型的精度.仿真结果显示,本文提出的TSV高频电学解析模型与仿真结果吻合度较高,对设计高频三维立体集成电路,解决TSV互连引起的信号完整性问题一定指导意义.

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