MOSFETs相关论文
To lower the power consumption of nanometer devices new materials and novel device structures are required.High mobility......
Investigation on threshold voltage of p-channel GaN MOSFETs based on p-GaN/AlGaN/GaN heterostructure
The threshold voltage(Vth)of the p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)is investigated vi......
研究了沟长从 0 .5 2 5 μm到 1.0 2 5 μm9nm厚的 P- MOSFETs在关态应力 ( Vgs=0 ,Vds...
用二维模拟软件 ISE研究了典型的 70 nm高 K介质 MOSFETs的短沟性能 .结果表明 ,由于 FIBL 效应 ,随着栅介质介电常数的增大 ,阈值......
提出了一种用于研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的新方法——摄动法.使用摄动法来求解泊松方程,使得在纳米尺寸MOSFETs工作中不再起......
Ｅｆｆｅｃｔｓｏｆｒａｄｉａｔｉｏｎ－ｉｎｄｕｃｅｄｏｘｉｄｅａｎｄｉｎｔｅｒｆａｃｅｃｈａｒｇｅｓｏｎｍｏｂｉｌｉｔｙｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎｉｎ ＭＯＳＦＥＴｓＲｅｎＤｉ－Ｙｕａｎ（任迪远）；ＹｕＸｕｅ－Ｆｅｎｇ（余学锋）；ＬｕＷｕ（陆妩）；Ｇａｏ...
Effectsofradiation-inducedoxideandinterfacechargesonmobilitydegradationin MOSFETsRenDi-Yuan (任 ......
本文在MOSFET小信号建模的基础上,分析了小信号模型中各参数对于MOSFET频率特性(fT和fmax)影响程度的大小,跨导、栅端电容和栅端电......
基于非平衡格林函数(NEGF)的量子输运理论框架，对双栅MOSFET进行了二维实空间数值模拟。在对表征载流子电势的泊松方程自洽求解......
本文使用cascode级联式的MOSFETS构成高压高速复合开关管，并将该复合开关管用于超声波发射电路，与由单个MOSFET开关管组成的发射......
应用前馈神经网络解深亚微米 MOSFETs反型层量子效应模型 .此方法需要用神经网络解微分方程的特征值问题以及积分方程 .首先以此方......
,A continuous analytic channel potential solution to doped symmetric double-gate MOSFETs from the ac
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该文针对现有器件模拟软件不适应高温微电子学发展的现状,对其物理模型进行修改完善使之能实现MOSFET管在200~300℃高温下的特性模......
研究了超薄栅氧 MOS器件的直接隧穿 (direct tunneling,DT)电流模型问题 .利用修正的 WKB近似方法(m odified WKB,MWKB)得到电子隧......
Theoretical study of the SiO2/Si interface and its effect on energy band profile and MOSFET gate tun
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Modeling of subthreshold characteristics for undoped and doped deep nanoscale short channel double-g
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主导作......
本文研究了界面陷阱对MOS器件栅电容C-V特性的影响。分别计算了几种不同的缺陷类型和不同分布形式界面陷阱作用下的栅电容 C-V 特......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
近日，在经过严格审查和数家客户长期试用之后，北京落木源电子的可驱动工作频率2MHz MOSFET专用型驱动产品TX—KB303开始正式大批量生......
本文完成了对多种表面势为基础的MOSFET片电荷（charge-sheet）模型反型层电荷和沟道电流计算的基本检验，相对于以基本的MOSFET器件物理......
本文完成了对多种表面势为基础的MOSFET片电荷（charge-sheet）模型反型层电荷和沟道电流计算的基本检验，相对于以基本的MOSFET器件物理......
统一的1/f噪声模型,例如BSIM3模型,已经在噪声预测与分析中有着广泛的应用,在多数情况下有很好的效果.然而文献[1]中基于物理机理......
本文提出了用线性余因子差分亚阀电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证，详细介绍了该方法的基本原理和实验......
深入分析了YAG脉冲激光电源的工作原理，根据氙灯特殊的电气特性，设计了硬件电路和软件程序。采用MOSFETS场效应管半桥逆变器，以SG3525......
提出了一种新的方法对短沟道SOI MOSFETs亚阈区的二维表面势的解析模型进行了改进,即摄动法.由于在短沟道SOI MOSFETs中不仅需要计......
ISL9220采用同步脉宽调制（PWM）技术并集成了MOSFETs，具有充电时间短、可提供最大功效、减少器件发热量等优异性能。该器件1．2MHz的开关......
Recent developments in the use of diamond materials as metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) are ......
随着器件工艺的更新。亚阈值电流对MOSFET的亚阔值特性的影响越来越大，但是目前的计算均是基于一维或者准二雏电势模型，计算量小但是......
本文提出了一种电源波动影响弱、低温飘、微功耗（〈1μw）的CMOS电压型积分器电路。它利用自偏置的恒流源电路结构以及MOSFETs的亚阈......
采用10keVX射线研究了部分耗尽S01MOSFETs的总剂量辐射效应．实验结果显示，在整个辐射剂量范围内，前栅特性保持良好；而nMOSFET和pMOSFET......
提出一种全新的基于载流子求解的双栅MOSFET解析模型.针对无掺杂对称双栅MOSFET结构,该模型由求解泊松方程的载流子分布和Pao-Sah......
提出了一种新的全耗尽SOI MOSFETs阚值电压二维解析模型．通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数，氧化层-硅界面处的......
提出了一个全耗尽SOlMOSFETs器件阈值电压和电势分布的温度模型．基于近似的抛物线电势分布模型，利用适当的边界条件对二维的泊松方程......
利用二维模拟软件对部分耗尽SOI器件中的非对称掺杂沟道效应进行了模拟.详细地研究了该结构器件的电学性能,如输出特性,击穿特性.......
The development and the revolution of nanotechnology require more and effective methods to accurately estimating the tim......
本文研究随机掺杂引起的超深亚微米SOI MOSFETs器件阈值电压波动,提出一种由沟道粒子数目波动引起的阈值电压波动标准差的解析模型......
A novel scalable model of substrate components for deep n-well (DNW) RF MOSFETs with different number of fingers is pres......
硅IGBT是目前电力电子电路中主要运用的开关器件之一,但IGBT的双极特性在限制器件的开关速度的同时也增加关断损耗。与之相比,使用......
碳化硅（SiC）优良的材料特性,使其十分适用于制作大功率高速的开关器件,例如金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFETs）。目前国内诸多研......
提出了一种部分耗尽SOI MOSFETs器件翘曲效应的一个温度模型。详细地分析了漏电流在不同温度下的导通机制。总的电流由两部分组成：......
4H-SiC是性能优异的宽禁带半导体材料之一,其在高温、高频、高功率和抗辐射器件等方面具有巨大的应用潜力。但是在器件制备过程中,......
随着集成电路的发展，器件尺寸越来越小，集成电路集成度越来越高，但与此同时，半导体也面临着由材料和器件本身所带来的一些小尺寸问题。......
