【摘 要】
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高电导率、宽带隙的p型纳米硅氧(p-nc-SiOx∶H)材料作为非晶硅电池(a-Si∶H)的窗口层,使得短波响应得到明显的提升.但是由于宽带隙的p-nc-SiOx∶H的引入,使得p/i界面能带失配,恶化电池的性能.因此将具有低激活能和较低缺陷态密度的本征非晶硅氧(i-a-SiOx∶H)材料作为缓冲层,获得效率为10.64％的单结a-Si∶H电池.另,通过优化氢气处理i-a-SiOx∶H材料,得到了
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071
【出 处】
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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会
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高电导率、宽带隙的p型纳米硅氧(p-nc-SiOx∶H)材料作为非晶硅电池(a-Si∶H)的窗口层,使得短波响应得到明显的提升.但是由于宽带隙的p-nc-SiOx∶H的引入,使得p/i界面能带失配,恶化电池的性能.因此将具有低激活能和较低缺陷态密度的本征非晶硅氧(i-a-SiOx∶H)材料作为缓冲层,获得效率为10.64％的单结a-Si∶H电池.另,通过优化氢气处理i-a-SiOx∶H材料,得到了效率达到11.01％的高效单结非晶硅和13.41％的非晶/微晶硅叠层电池.
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