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该文提出通过优化δ掺杂PHEMT夹断电压数值提高器件功率性能的设计，在工艺上采取使用简便的电学控制腐蚀替代常用的化学选择腐蚀方法；设计了新颖的材料结构；进一步优化腐蚀条件第三项措施使挖腐蚀得到了精确控制。最终研制出fo:35Ghz;Po:156mw;D:1w/mm;Gp:4dB;η：40℅；f<,T>:65GH<,2>的PHEMT功率器件。