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把氢、氦离子共同注入入单晶硅片，在剂量比两种离子单独注入低的情况下就可以在退火过程中使表面产生砂眼、和剥离的现象。该文对氢、氦共注入的样品用Ｘ射线四晶衍射、ＲＢＳ、ＸＴＥＭ等方法作材料研究，并讨论了氢氦共注入使总离子注入的剂量降低的原因。
氢、氦共注入硅的微结构研究
【摘 要】
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把氢、氦离子共同注入入单晶硅片，在剂量比两种离子单独注入低的情况下就可以在退火过程中使表面产生砂眼、和剥离的现象。该文对氢、氦共注入的样品用Ｘ射线四晶衍射、ＲＢＳ、ＸＴＥＭ等方法
【机 构】
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科学院上海冶金所信息功能材料国家实验室(上海)
【出 处】
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第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
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1999年期
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