为了研究绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor，IGBT）的电磁骚扰特征，本文首 先分析了IGBT电磁骚扰的主要来源及IGBT的开通及关断过程，然后采用基于有限积分法的CST软件对IGBT开关瞬态 进行电磁骚扰仿真。在仿真软件中建立相应实体有限积分模型，对其自身电磁场分布情况及其近场特性进行了定量 分析，得到相应自身的电磁场分布。依据计算数据对瞬态电磁骚扰的时域特征和频域特征作了系统的分析，得到了 瞬态电磁骚扰的总体特征。文中着重分析了IGBT的开关特性以及近场内的电场和磁场强度。分析结果表明：IGBT 在开通和关断瞬间产生的高电压和电流变化（d v/d t和d i/d t）是其主要电磁骚扰源，产生的电磁骚扰也最严重。