ICP-MS法定量分析硅片表面金属杂质含量

来源 :中国质谱学会无机质谱、同位素质谱、质谱仪器和教育学专业委员会学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：akiro

【摘要】

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在半导体生产过程中，硅片表面金属离子的污染可使二极管、晶体管性能变差，反向饱和电流迅速加大，甚至有可能使整个管子报废，器件完全失效。因此，分析测试硅片表面金属离子的含量对

【作者】

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黄曜黄郁芳

【机构】

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复旦大学材料系，上海200433

【出处】

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中国质谱学会无机质谱、同位素质谱、质谱仪器和教育学专业委员会学术交流会

【发表日期】

：

2007年10期

【关键词】

：

硅片表面金属杂质含量表面清洁度 ICP-MS法半导体生产

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在半导体生产过程中，硅片表面金属离子的污染可使二极管、晶体管性能变差，反向饱和电流迅速加大，甚至有可能使整个管子报废，器件完全失效。因此，分析测试硅片表面金属离子的含量对监控硅片表面的清洁度至关重要。本工作采用HF+HN03溶解硅片表面金属离子，再用ICP-MS法对溶液中6个重要金属离子进行检测.

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